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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.16W
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栅极电荷：18.9nC@10V
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输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
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功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
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输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
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输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
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功率：1.16W
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导通电阻：16mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
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导通电阻：16mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：9.5A€35A
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：18.9nC@10V
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输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.2W€30W
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导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.16W
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类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
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类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：18.9nC@10V
导通电阻：16mΩ@10A，10V
连续漏极电流：10.6A€31A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
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连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：18.9nC@10V
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输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
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