品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: