品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA
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功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:166pF@40V
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类型:N沟道
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功率:625mW
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
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连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
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销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
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连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
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类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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