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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
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功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：15nC@10V
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导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
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导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1.081nF@30V
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
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连续漏极电流：10A
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