品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: