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    品牌: DIODES
    栅极电荷: 33.5nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.8W€136W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1.925nF@30V

    连续漏极电流:11.76A€89.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH69M8LFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH69M8LFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH69M8LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH69M8LFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH69M8LFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH69M8LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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