采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
