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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
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输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
连续漏极电流：4.3A
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类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
栅极电荷：14.5nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：1160pF@10V
ECCN：EAR99
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
栅极电荷：14.5nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：1160pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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