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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-7
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
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功率：1.3W
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栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.3W
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
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功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
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栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：11.7A
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