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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
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类型：N沟道
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功率：2.03W
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输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：11.8A
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功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
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导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
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连续漏极电流：11.8A
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导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
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导通电阻：15mΩ@7A，10V
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连续漏极电流：11.8A
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：706pF@15V
类型：N沟道
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功率：2.03W
连续漏极电流：11.8A
导通电阻：15mΩ@7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：706pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@250µA
功率：2.03W
连续漏极电流：11.8A
导通电阻：15mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT5015LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
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