品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: