采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：450mA
类型：2个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：37.1pF@10V
连续漏极电流：1.03A€700mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
输入电容：46.1pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
功率：460mW
栅极电荷：500pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
输入电容：46.1pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
功率：460mW
栅极电荷：500pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
