品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
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功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
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功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
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导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
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导通电阻:16mΩ@9A,10V
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导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
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输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
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漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
导通电阻:16mΩ@9A,10V
功率:1.17W
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
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输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
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功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
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输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:8.56nC@5V
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类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,9A
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