品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
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输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
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ECCN:EAR99
连续漏极电流:130A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
类型:N沟道
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工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
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阈值电压:3V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
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连续漏极电流:51.7A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
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功率:3.1W
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连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: