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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LPSWQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@25V
连续漏极电流：41.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8028LFVWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：631pF@40V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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