品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
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功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
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功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
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功率:500mW
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栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
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