品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
连续漏极电流:17A
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:32mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:11.9nC@10V
类型:1个N沟道
输入电容:683pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
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