品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: