采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
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类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
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功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
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类型：P 通道
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类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
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功率：500mW（Ta）
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栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
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输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
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导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
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