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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.21A
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行业应用：工业,汽车
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功率：470mW
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栅极电荷：2nC@4.5V
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连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFD-7
功率：470mW
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
输入电容：67.62pF@25V
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.21A
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67.62pF@25V
连续漏极电流：1.21A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
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