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    品牌
    栅极电荷
    阈值电压
    品牌: DIODES
    栅极电荷: 11.8nC@10V
    阈值电压: 2.1V@250μA
    当前匹配商品:3
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:11.8nC@10V

    输入电容:642pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:11.8nC@10V

    输入电容:642pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:11.8nC@10V

    输入电容:642pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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