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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
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输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
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连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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