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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
