品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2088LCP3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2088LCP3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2088LCP3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2088LCP3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:106pF@10V
连续漏极电流:1.41A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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