品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: