品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2244
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.293nF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:55mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2244
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.293nF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:55mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2244
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.293nF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:55mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: