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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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栅极电荷：20.1nC@10V
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功率：2.1W
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连续漏极电流：50A
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W
导通电阻：23mΩ@12A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：20.1nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
输入电容：1143pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.143nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.143nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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