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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
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功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
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输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
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输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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