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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：500pF@15V
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类型：N沟道
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导通电阻：18mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：9.8nC@10V
功率：900mW
导通电阻：18mΩ@7A，10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：25A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：9.8nC@10V
功率：900mW
导通电阻：18mΩ@7A，10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：25A
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