品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
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输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
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输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:18.4nC@10V
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
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类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
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输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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