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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
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功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
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连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-13
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-13
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
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功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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