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    品牌
    栅极电荷
    类型
    连续漏极电流
    4A
    行业应用
    品牌: DIODES
    栅极电荷: 4.3nC@4.5V
    类型: 1个N沟道
    连续漏极电流: 4A
    当前匹配商品:3
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订数75000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订数75000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    类型:N沟道

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:339pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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