采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
