品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
栅极电荷:19.6nC@8V
类型:2个N沟道
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存: