品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: