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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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功率：88W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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功率：88W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
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输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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功率：88W
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栅极电荷：38.5nC@10V
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输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
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漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LPS-13
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功率：2.7W€83W
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输入电容：2693pF@30V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LPS-13
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栅极电荷：38.5nC@10V
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连续漏极电流：22A€100A
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LPS-13
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漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
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ECCN：EAR99
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功率：88W
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连续漏极电流：22A€100A
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栅极电荷：38.5nC@10V
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导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
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