采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
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输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
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功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：430mW
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连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
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功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
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连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
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功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
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输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
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输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
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功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
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栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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