品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40.8pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: