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    品牌: DIODES
    栅极电荷: 0.89nC@4.5V
    当前匹配商品:10+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:468mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@20V

    连续漏极电流:1.32A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:468mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@20V

    连续漏极电流:1.32A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:468mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@20V

    连续漏极电流:1.32A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB-7B 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:468mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@20V

    连续漏极电流:1.32A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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