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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
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功率：270mW
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
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功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
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功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
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功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
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功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
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功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
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输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
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类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D9L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
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输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：335mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
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栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
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