品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D6UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.6pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN31D6UT-13
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功率:320mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
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输入电容:13.6pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
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功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
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连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:320mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
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输入电容:13.6pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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类型:P沟道
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类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:320mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.6pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
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漏源电压:30V
输入电容:13.6pF@15V
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类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
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连续漏极电流:170mA
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漏源电压:25V
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