品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
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输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
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漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
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栅极电荷:0.85nC@4.5V
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导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
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工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
栅极电荷:0.85nC@4.5V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
输入电容:70.13pF@15V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
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栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
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规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: