品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:45mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424A
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424A
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LP
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@18V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424A
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: