品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:500mΩ@3A,10V
功率:850mW
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@1mA
漏源电压:240V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2012
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:450V
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
包装方式:散装
功率:700mW
导通电阻:50Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
功率:500mW
导通电阻:30Ω@100mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LP
连续漏极电流:270mA
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:625mW
类型:N沟道
包装方式:散装
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:450V
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
功率:700mW
导通电阻:50Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110A
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
类型:N沟道
包装方式:散装
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110A
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
包装方式:散装
漏源电压:100V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@1mA
漏源电压:240V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
包装方式:散装
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
包装方式:散装
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
包装方式:散装
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3306A
连续漏极电流:270mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:625mW
类型:N沟道
输入电容:35pF@18V
包装方式:散装
漏源电压:60V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:270mA
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:625mW
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
连续漏极电流:270mA
导通电阻:5Ω@200mA,10V
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3306A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:270mA
功率:625mW
输入电容:35pF@18V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:500mΩ@3A,10V
功率:850mW
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110A
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
包装方式:散装
漏源电压:100V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
包装方式:散装
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424A
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: