采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601STZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
漏源电压：100V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
漏源电压：240V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
功率：750mW
包装方式：带盒（TB）
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：9Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
