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    品牌
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    品牌: DIODES
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 1000@10V,150mA
    当前匹配商品:2
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    包装清单:商品主体 * 1

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