品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电集截止电流(Icbo):100nA
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
输入电阻:47kΩ
集电极电流(Ic):200mA
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
包装方式:卷带(TR)
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电集截止电流(Icbo):100nA
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
输入电阻:47kΩ
集电极电流(Ic):200mA
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
包装方式:卷带(TR)
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):800mV@1mA,40mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):250@300mA,5V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: