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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：两年外
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
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集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：22+
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
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生产批次：22+
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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生产批次：22+
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集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：1个NPN-预偏置
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：两年外
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
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行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：22+
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功率：310mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
晶体管类型：1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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行业应用：工业,其它
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生产批次：两年外
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
功率：310mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极电流(Ic)：100mA
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行业应用：工业,其它
生产批次：22+
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
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集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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功率：310mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V
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