品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
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包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
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晶体管类型:PNP
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
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晶体管类型:NPN
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库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
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规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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特征频率:125MHz
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ECCN:EAR99
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晶体管类型:PNP
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库存:
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规格型号(MPN):MMBTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
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晶体管类型:PNP
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品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
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晶体管类型:NPN
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):MMBTA13-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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ECCN:EAR99
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晶体管类型:NPN
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集射极击穿电压(Vceo):30V
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
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集电极电流(Ic):500mA
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晶体管类型:PNP
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晶体管类型:NPN
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行业应用:汽车,工业
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集电极电流(Ic):500mA
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晶体管类型:PNP
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集射极击穿电压(Vceo):30V
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规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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晶体管类型:NPN
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分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo):30V
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晶体管类型:PNP
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分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
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晶体管类型:NPN
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规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
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工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA13-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
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特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
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包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
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包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
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特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
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包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
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规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
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晶体管类型:NPN
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销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA13-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
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特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
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