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    品牌: DIODES
    漏源电压: 40V
    阈值电压: 4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007SPDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007SPDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2026pF@30V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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